總投資16億元的半導體項目落戶四川眉山
近日，四川省眉山市東坡區與泉州澤仕通科技有限公司舉行簽約儀式，標誌著總投資16億元的半導體測試封裝與無線通信網絡技術產品生產基地項目正式落戶東坡區。此次簽約的項目總投資16億元，其中固定資產投入不低於12億元，主要建設半導體測試封裝與無線通信網絡技術產品生產基地。項目全部建成投產後，實現年產值不低於25億元，年上繳稅收不低於1億元，提供就業崗位200個。
北京加快突破光刻機「卡脖子」難題
近日，亦莊企業北京國望光學科技有限公司增資項目在北京產權交易所完成。通過此次增資，國望光學引入中國科學院長春光學精密機械與物理研究所和中國科學院上海光學精密機械研究所作為戰略投資者，兩家機構以無形資產作價10億元入股，對應持股比例為33.33%。這代表著北京在推動國產光刻機核心部件生產方面邁出實質性步伐，將加快突破國產中高級光刻機製造「卡脖子」技術難題。
阿里入局 傳平頭哥正研發專用SoC晶片
據消息人士透露，阿里平頭哥正在研發一款專用SoC晶片，該SoC晶片將用於阿里雲神龍伺服器的核心組件MOC卡，以推動下一代雲計算技術的升級。據了解，系統晶片(SoC)指的是在單個晶片上集成一個完整的系統，對所有或部分必要的電子電路進行包分組的技術。由於強大的高效集成性能，系統晶片是替代集成電路的主要解決方案。SoC 已經成為當前微電子晶片發展的必然趨勢。
幫助人工智慧落地 國產研發單晶片運動控制器問世
日前，由實時俠智能控制技術有限公司(下稱「實時俠」)研製的全球首款單晶片多軸驅控一體運動控制器(簡稱SCIMC)完成了技術驗證，即將在8月底舉行的上海世界人工智慧大會(WAIC)上亮相發布。這款產品將擺脫對英特爾X86處理器、微軟Windows作業系統的依賴，以完全獨立開發的運動規劃、電機控制、通信、應用軟體等IP模塊，真正實現自主可控技術，打破國外品牌長期占據運動控制器高級市場的格局。
晶科上半年出口太陽能電池57.4億元
據從上饒海關獲悉，今年上半年，光伏龍頭企業晶科能源有限公司實現太陽能電池出口57.4億元，同比增長88%，占全省太陽能電池出口的92.2%，繼續保持全省最大生產出口民營企業地位。
總投資5.3億元的再生晶圓和IGBT落戶江蘇東海
14日，江蘇東海經濟開發區與台灣合勁半導體科技有限公司舉行項目簽約儀式。台灣合勁半導體科技有限公司將在東海經濟開發區投資興建 「再生晶圓和IGBT」項目。據東海黨辦報導，該項目總投資7500萬美元(約合人民幣5.3億元)，達產後可年產8-12寸再生晶圓150萬片，實現年銷售收入5億元，稅收3000萬元以上。東海黨辦指出，再生晶圓和IGBT項目在國內占據重要地位，IGBT晶片薄化技術可生產出全亞洲最薄的晶圓。
山東首家半導體科技服務平台落戶煙臺
15日，米格實驗室與山東智宇智慧財產權運營中心負責人簽訂了煙臺半導體科技服務平台合作協議。報導指出，煙臺半導體科技服務平台系山東省首家半導體科技服務平台。該平台將以市場為導向，在大數據基礎上挖掘整合國內外專家人才資源、實驗室資源，聚焦半導體、晶片、新材料等領域，以「科研———智慧財產權設計/布局———實驗室研發———技術產業化轉移」為運營模式，致力於科研技術的市場化運營、再創新與產業化的全鏈條技術轉移服務，為煙臺開發區半導體產業發展提供有力支撐。
5G發展拉抬晶片需求 台灣半導體製造與封測業受益
近期許多台灣半導體廠商皆以5G產業為日後半導體市場趨勢發展的提升動能，從5G硬體設備發展來看，5G基地台的基礎建設是發展初期的必要需求，短期成長力道強勁;5G手機則是終端裝置的第一波應用，話題性高但要普及化仍需長時間經營。以台廠在全球半導體的戰略位置分析，晶圓代工與封裝測試部分較能在5G晶片需求上取得優勢，預期將持續挹注相關廠商的營收表現;然在IC設計方面，可能遭遇較多困難。
重慶兩江新區集成電路產業營收增長8倍
據重慶兩江新區官網介紹，上半年，兩江新區數字經濟產業營收702億元，增長35%。其中，集成電路產業增長8倍。乘著數字經濟發展浪潮，兩江新區的產業結構也在持續優化，製造業與大數據智能化愈發深度融合，高質量發展、轉型升級步伐正在加快。
聯發科5G晶片領跑 已通過5G獨立組網連網通話測試
近日，聯發科攜手國際合作夥伴與核心網夥伴諾基亞、思科、基站供應商愛立信、國外運營商T-mobile成功完成5G獨立組網連網通話對接，此次共同合作測試，實現了全球第一個5G獨立組網的通話連網，這將讓5G商用部署具備更多彈性。
AMD：7nm晶片再挑英特爾伺服器市場
「這是目前性能最為強勁的X86伺服器晶片!」AMD CEO蘇姿豐站在舊金山地標建築藝術宮的舞台上，信心滿滿地正式發布第二代EPYC(霄龍)數據中心處理器「羅馬」，期待進一步從英特爾占據絕對主導的伺服器晶片市場拿下更多份額。新品發布後，AMD股價連續兩個交易日大幅走高，市值一舉超過430億美元。相比幾年前股價還不到2美元，市值跌破20億美元的窘況，如今的AMD股價正處在過去15年的最高點。而這神奇的大逆轉就發生在短短的三年時間內。
Marvell推出3款PCIe4.0 SSD主控 號稱功耗業界最低
近日，馬牌(Marvell)推出了自家的三款PCIe4.0 SSD主控，成為繼群聯、慧榮後又一具備PCIe4.0 SSD主控的廠商。本次發布的PCIe4.0 SSD主控共有三款，型號分別為Marvell 88SS1321、88SS1322、88SS1323;其採用Tri-Cortex R5 CPUs，4通道設計，帶寬為1200MT/s;從官方給出的參數來看，定位最高的Marvell 88SS1321連續讀寫性能可以去到3.9GB/s和3.3GB/s，4K隨機讀寫性能可以達到690K IOPS和500K IOPS。
SK 海力士將推800+ 層堆疊NAND Flash
目前，兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經公布了新NAND Flash 產品的發展規劃。 其中，三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外，SK 海力士則是宣布成功開發出128 層堆疊的4D NAND Flash，並已經進入量產階段。不過，雖然兩家廠商競相推出NAND Flash 的新產品，但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以，SK 海力士日前在一場會議上就公布了公司的規劃，預計在2030 年推出800+ 層的NAND Flash，屆時將可輕鬆打造出100 到200TB 容量的SSD。
印度擬提高光伏設備進口關稅
印度電力部長辛格表示，未來幾年，為鼓勵國內工業，印度將提高光伏設備的進口稅。印度電力部長辛格說，印度將在未來幾年提高光伏設備的進口稅，以鼓勵國內產業。他還宣布，將很快公布一項政策，這項政策將特別對印度的光伏設備製造業提供稅收優惠。印度電力部保證，進口稅的上升不會影響印度太陽能投標過程。去年7月，印度對從中國和馬來西亞進口的光伏電池徵收了高達25%的保護稅，以促進當地業務。
日媒稱三星電子在比利時找到替代貨源
據《日本經濟新聞》報導，受日本限制對韓出口半導體關鍵材料影響，三星電子現已轉往比利時採購部分核心原材料。日本上月4日宣布限制向韓國出口3種半導體關鍵材料，光刻膠為其中之一。據報導，韓國漢陽大學半導體工程教授朴在勤稱，三星電子現已在比利時某化學公司找到光刻膠貨源，並已向該公司下單購買6至10個月需求量的貨品。此外，朴在勤教授表示日本政府的出口限制對韓國企業的影響有限。朴在勤未透露將給三星供貨的比利時公司名稱，但據韓媒分析，該公司或為「光刻膠製造與合格中心」，由日本材料公司JSR與比利時研究機構IMEC在2016年合資成立，公司的最大股東為JSR設在比利時的子公司JSR Micro。
格羅方德：已研發出12nm工藝的3D封裝Arm晶片
根據外媒Tom's Hardware的報導， GlobalFoundries (格羅方德)本周宣布，已經使用其12nm FinFET工藝成功製成了高性能的3D Arm晶片。格羅方德表示：「這些高密度的3D晶片將為計算應用，如AI/ML(人工智慧和機器學習)以及高級消費級移動和無線解決方案，帶來新的性能和能源效率。」
JDI發布最新財報 現已資不抵債
此前日本唯一的知名面板公司——JDI發布了2019財年Q1季度財報，營收下滑12%到904億日元，淨虧損832億日元，是去年同期的17億日元淨虧損的49倍。這個季度中，JDI運營利潤實際上只虧了275億日元，但是JDI表示由於全球貿易紛爭導致需求下滑、客戶庫存調整，還有JDI自身的工廠減損、事業部改組等問題，計提517億日元的特別損失，導致淨虧損832億日元。值得一提的是，JDI已經連續五年都處於虧損狀態，現在一個季度的虧損差不多等同於去年一年的虧損了。目前，因連續多年巨額虧損，JDI陷入了資不抵債的地步了，現在淨資產為負772億日元，自有資本率跌至-19.3%，3月底的財報中官方報告的資本率還有0.9%，雖然也很低，但還沒有負資產的地步。
Vishay推出的新款60 V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，推出新款60 V TrenchFET 第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業內首款適用於標準柵極 驅動電路 的器件，10V條件下最大導通電阻降至4mW，採用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。Vishay Siliconix SiSS22DN專門用於提高功率轉換拓撲結構的效率和功率密度，柵極電荷僅為22.5 nC，同時具有低輸出電荷(QOSS)。
格芯再出售資產 旗下光罩業務將出售給日本公司
之前放棄7納米及其以下先進位程研發，又陸續出售旗下晶圓廠的晶圓代工廠商格芯(Globalfoundries)，14日又在其公司官網上公布，準備將旗下的光罩業務出售給日本Toppan的子公司Toppan Photomasks，這是格芯近年來在出售多項資產之後，再一次出售旗下業務，也進一步引發市場人士的關注。根據公布的資料顯示，在Toppan收購格芯位於美國佛蒙特州伯靈頓的光罩業務部分設備與資產之後，雙方也將透過簽屬一項多年的供應協議，使Toppan將持續提供格芯目前所需要的光罩和相關服務。
美光新加坡Fab 10A快閃記憶體工廠完成擴建
存儲器大廠美光科技(Micron)14日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建!美光執行長Sanjay Mehrotra表示，新廠區將視市場需求調整資本支出及產能規劃，並應用先進3D NAND製程技術，進一步推動5G、人工智慧(AI)、自動駕駛等關鍵技術轉型。此外，美光亦將加碼在台灣DRAM廠投資，台中廠擴建生產線可望在年底前落成。
受管制原料出口韓國衝擊 日商啟動中國工廠生產計劃
根據《日本經濟新聞》的報導指出，就在日本管制3種高科技原料出口韓國，甚至進一步將韓國移出出口簡化程序白名單之後，日本的相關原料生產廠商也受到了影響。因此，專門以生產高純度氟化氫等原料為主的日本森田化學表示，未來預計將啟動在中國生產高純度氟化氫的計劃，以供應韓國廠商的需求。
格芯推出12納米ARM架構3D晶片
晶圓代工大廠格芯(GlobalFoundries)8日宣布，開發出基於ARM架構的3D高密度測試晶片，將實現更高水準的性能和功效。由於當前晶片封裝一直是晶片製造中的一個關鍵點，使得在傳統的2D封裝技術已經發展到瓶頸之後，半導體製造商們把目光轉向3D堆疊技術上。除了看到大量的3D NAND Flash快閃記憶體的應用，英特爾和AMD也都有提出關於3D晶片的研究報告。如今，ARM和格芯也加入這領域。
AMS決定340億收購歐司朗(Osram)
蘋果公司供應商艾邁斯半導體(AMS，原奧地利微電子)此前宣布，已經向德國照明設備集團歐司朗(Osram )提議全現金收購，出價為每股38.5歐元。AMS表示，該出價對歐司朗的企業估值為43億歐元，約340億人民幣。
漢威科技擬定增募資不超5.876億元 用於MEMS傳感器封測產線建設
漢威科技披露非公開發行股票預案，擬非公開發行股票的募集資金總額不超過5.876億元，扣除發行費用後，約2.05億元用於MEMS傳感器封測產線建設，1.82億元用於新建年產150萬隻氣體傳感器生產線，1.44億元用於新建年產19萬台智能儀器儀表生產線，5621萬元用於物聯網系統測試驗證中心建設。此次非公開發行的股票數量不超過發行前公司總股本的20%。按當前股本測算，此次發行股票數量不超過約5860.456萬股(含)，最終發行數量根據募集資金總額和發行價格計算所得。
朗迪集團跨界投資晶片行業 擬收購甬矽電子10.94%股權
此前，朗迪集團曾發布投資意向公告，擬投資受讓半導體封測企業甬矽電子(寧波)股份有限公司(以下簡稱「甬矽電子」)合計不超過2900萬股股份，投資總額不超9860萬元。8月15日，朗迪集團正式宣布，公司與青島海絲民和股權投資基金企業(有限合夥)、王順波等簽訂《甬矽電子(寧波)股份有限公司投資協議》，擬以現金9860萬元人民幣收購海絲民和持有的甬矽電子2900萬股股份，股權比例為10.94%。
富滿電子擬募資3.5億元 推動功率半導體器件等擴產升級
14日，富滿電子發布《非公開發行A股股票預案(修訂稿)》，擬非公開發行募集資金總額不超過3.5億元人民幣，扣除發行費用後擬投資於功率半導體器件、LED控制及驅動類產品智能化生產建設項目以及補充流動資金。根據公告，功率半導體器件、LED控制及驅動類產品智能化生產建設項目投資金額2.81億元，擬使用募集資金金額2.5億元。該項目擬在安徽省合肥市高新技術產業開發區建設廠房，用於生產功率半導體器件、LED 控制及驅動類晶片以滿足下遊客戶對相關產品產能的需求，新增生產線生產產能將達到10.5億PCS/年，項目建設期為1年。
半導體設備行業是半導體晶片製造的基石
半導體設備指半導體產品在製造和封測環節所要用到的所有機器設備，廣義上也包括生產半導體原材料所需的機器設備。主要有：光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備、離子注入機、測試機、分選機、探針台等。根據半導體行業內「一代設備，一代工藝，一代產品」的經驗，半導體產品製造要超前電子系統開發新一代工藝，而半導體設備要超前半導體產品製造開發新一代產品。因此半導體設備行業是半導體晶片製造的基石，擎起了整個現代電子信息產業，是半導體行業的基礎和核心。
根據國際貨幣基金組織測算，每1美元半導體晶片的產值可帶動相關電子信息產業10美元產值，並帶來100美元的GDP，這種價值鏈的放大效應奠定了半導體行業在國民經濟中的重要地位。半導體與信息安全的發展進程息息相關，世界各國政府都將其視為國家的骨幹產業，半導體產業的發展水平逐漸成為了國家綜合實力的象徵。
隨著半導體行業的迅速發展，半導體產品的加工面積成倍縮小，複雜程度與日俱增，生產半導體產品所需的製造設備需要綜合運用光學、物理、化學等科學技術，具有技術壁壘高、製造難度大及研發投入高等特點。半導體設備價值普遍較高，一條製造先進半導體產品的生產線投資中設備價值約占總投資規模的75%以上，半導體產業的發展衍生出巨大的設備需求市場。
半導體設備以晶圓製造設備為主
集成電路設備包括晶圓製造設備、封裝設備和測試設備等，晶圓製造設備的市場規模占比超過集成電路設備整體市場規模的80%。
晶圓製造設備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、塗膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的75%左右，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是集成電路前道生產工藝中最重要的三類設備。根據SEMI統計，按全球晶圓製造設備銷售金額占比類推，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別占晶圓製造設備價值量約24%、23%和18%。
隨著集成電路晶片製造工藝的進步，線寬不斷縮小、晶片結構3D化，晶圓製造向7納米、5納米以及更先進的工藝發展。由於普遍使用的浸沒式光刻機受到波長限制，14納米及以下的邏輯器件微觀結構的加工將通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合——多重模板效應來實現，使得相關設備的加工步驟增多。未來，刻蝕設備和薄膜沉積設備有望正成為更關鍵且投資占比最高的設備。
2019-2024年 中國存儲晶片行業市場需求分析與投資前景預測
2019-2024年 中國高壓驅動晶片行業市場需求分析與投資前景預測
2019-2024年 中國光晶片行業市場需求分析與投資前景預測
2019-2024年 中國人工智慧晶片行業市場需求分析與投資前景預測
